如何降低模擬量位移傳感器中的電路噪聲？

模擬位移傳感器電路容易受到外界或內部一些隨機噪聲或干擾信號的影響，如果干擾和噪聲比較大，可以與有用信號的大小相比較，傳感器電路輸出的有用信號就會被淹沒，或者由于有用信號和噪聲的成分數量難以區分，可能會干擾有用信號的測量。因此，在傳感器電路的設計中，抗干擾設計往往是傳感器電路設計成功的關鍵。

低頻噪聲主要由內部導電粒子引起。特別是碳膜電阻，碳材料中含有許多小顆粒，顆粒是不連續的，電流是流動的，電導率的變化會使電阻的電流發生變化，電弧閃爆產生類似的不良接觸。此外，晶體管可以通過類似于電阻中粒子的不連續性和涉及晶體管的摻雜水平的機制來產生類似的突發噪聲和閃爍噪聲。

半導體結勢壘變化引起的電荷電壓累積數的變化揭示了電容效應。隨著正電壓的增加，N區的電子和P區的空穴向耗盡區移動，這相當于電容器的電荷運動。當正向電壓降低時，它將電子和空穴移離耗盡區，這相當于電容器的放電容量。當施加反向電壓時，耗盡區是反向的。當電流通過勢壘時，這種變化會導致流過勢壘區域的電流產生小的波動，從而產生電流噪聲。噪聲的大小和溫度、帶寬與F成正比。